降本增效,德州儀器轉型8英寸GaN工藝

作者 | 發布日期 2024 年 03 月 06 日 18:00 | 分類 企業

德州儀器(TI)近日披露了在GaN功率器件工藝方面新的戰略規劃,該公司正在將其GaN-on-Si生產工藝從6英寸向8英寸過渡。

source:德州儀器

TI從6英寸轉型8英寸

3月5日,TI韓國總監Ju-Yong Shin表示,TI正在美國達拉斯、日本會津和其他地方興建8英寸晶圓廠。據Shin介紹,TI目前采用6英寸工藝生產GaN半導體,達拉斯工廠有望在2025年之前過渡到8英寸工藝,而在日本會津工廠,TI正在將現有的硅基8英寸生產線轉換為GaN半導體生產線。

在半導體行業,從一定程度上來說,隨著晶圓尺寸越來越大,單位器件成本呈下降趨勢。8英寸晶圓的面積是6英寸晶圓的1.78倍,12英寸晶圓的面積是8英寸晶圓的2.25倍,更大的晶圓尺寸意味著可以生產更多的器件,有助于提高生產效率。

有業內人士表示,從6英寸生產工藝轉向8英寸工藝,有望將生產成本降低10%以上。由此看來,TI的工藝轉型有望降低GaN半導體價格,進而能夠提供更低價格的器件以及解決方案,幫助其從降本入手獲得一定的競爭優勢。

值得一提的是,GaN-on-Si是硅基技術,可以利用現有硅晶圓代工廠已有的規模生產優勢,實現產品的規模量產和快速上市?;诖?,TI能夠加速上文所說的將現有的硅基8英寸生產線轉換為GaN生產線的進程,從而更快實現轉換目標。

TI GaN業務進展

當前,國內外廠商均在積極推進建設8英寸GaN晶圓項目,TI順勢而為,實施8英寸轉型戰略,在降本增效的同時,也能夠在技術方面置身于產業第一梯隊。

近年來,TI積極涉足GaN全產業鏈,以期在穩健增長的GaN市場分一杯羹。據TrendForce集邦咨詢分析,全球GaN功率元件市場規模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金,復合增長率高達65%。

產能方面,TI日本負責人Samuel Vicari在2023年2月曾透露,將擴大在日GaN晶圓產能。據悉,擴產的原因在于TI使用GaN的相關產品需求較高,為此,TI將主要投資福島縣的會津工廠以擴大產能。

此前,TI日本會津工廠產能并非全部用于GaN產品,而通過最新的轉型規劃,TI有望將GaN半導體提升為會津工廠主要產品,其GaN晶圓產能將進一步擴大。

產品方面,GaN功率器件市場的發展主要由消費電子所驅動,目前核心仍在于快充。不久前,TI發布了低功耗GaN系列新品,可助力提高功率密度、提升系統效率、同時縮小交流/直流消費類電力電子等產品的尺寸。

如今,消費者需要更小、更輕、更便攜,同時還能快速充電的高能效電源適配器,而借助TI發布的新品,設計人員可將低功耗GaN技術優勢應用到更多消費者日常使用的產品中,如手機和筆記本電腦適配器等。

TI低功耗GaN產品有助于推動GaN技術在消費電子領域的進一步滲透,同時在一定程度上帶動公司GaN業務板塊業績增長。

小結

此次向8英寸轉型,配合2023以來實施的擴產計劃,TI未來有望提供更多GaN相關產品,在GaN供不應求的大環境下,分食更多市場份額。

成本問題是制約GaN產業快速發展的因素之一,向8英寸以及更大尺寸轉型是降低GaN器件成本可行之法。TI實施8英寸轉型戰略,既有助于降低自身GaN產品成本,也有望在一定程度上推動市場上相關產品降價,進而擴大應用,推動產業正面發展。(文:集邦化合物半導體Zac)

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