晶湛半導體GaN外延片生產擴建項目竣工驗收

作者 | 發布日期 2024 年 03 月 07 日 17:47 | 分類 企業

近日,據“獨墅湖科創區發布”官微消息,晶湛半導體氮化鎵(GaN)外延片生產擴建項目已于2024年1月15日取得竣工驗收備案證。

圖片來源:拍信網正版圖庫

據悉,該項目占地面積16.5畝,總建筑面積2.2萬平方米,總投資2.8億元,預計年產6英寸GaN外延片12萬片,8英寸GaN外延片12萬片。

據此前消息,2022年7月底,蘇州獨墅湖科教創新區發布了晶湛半導體GaN外延片年產新增10000片項目環境影響評價第一次公示。根據公示,晶湛半導體彼時正在進行“蘇州晶湛半導體有限公司氮化鎵外延片年產新增10000片項目”環境影響評價工作。

2022年11月初,晶湛半導體總部大樓建設項目舉行封頂儀式。該項目于2021年12月2日奠基開工,聚焦GaN外延片的研發生產。晶湛半導體官方消息顯示,預期項目建成后,將成為國內規模最大的GaN電力電子材料和微顯示材料生產基地。

作為GaN外延材料廠商,晶湛半導體由業界公認的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延技術開拓者程凱博士于2012年3月回國創辦,擁有先進的GaN外延材料研發和產業化基地,致力于為電力電子以及微顯示等領域提供高品質GaN外延材料解決方案。據稱,晶湛半導體是目前國際上唯一可供應12英寸硅基氮化鎵外延產品的廠商。

自2012年成立以來,晶湛半導體已完成多達8輪融資,其中包括2022年3月的B+輪融資、2022年12月的C輪融資以及2023年12月的C+輪,3輪融資資金均為數億元,投資方包括蔚來資本、美團龍珠、高瓴資本等眾多機構。(集邦化合物半導體Zac整理)

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