簽約、投產(chǎn),士蘭微等3個(gè)SiC功率器件項目刷新“進(jìn)度條”

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 05 月 22 日 18:00 | 分類(lèi) 企業(yè)

近日,SiC功率器件相關(guān)擴產(chǎn)項目迎來(lái)一波小高潮,多家廠(chǎng)商密集發(fā)布新進(jìn)展,其中包括士蘭微8英寸SiC功率器件生產(chǎn)線(xiàn)項目、安建功率半導體模塊封裝項目、智新半導體800V SiC模塊產(chǎn)線(xiàn)。

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士蘭微8英寸SiC功率器件項目落地廈門(mén)

5月21日,士蘭微與廈門(mén)市人民政府、廈門(mén)市海滄區人民政府在廈門(mén)市簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)項目戰略合作框架協(xié)議》(以下簡(jiǎn)稱(chēng)協(xié)議協(xié)議)。

根據協(xié)議,各方合作在廈門(mén)市海滄區投資建設一條以SiC MOSEFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)。該項目分兩期建設,項目一期投資規模約70億元,規劃產(chǎn)能3.5萬(wàn)片/月,二期投資規模約50億元,規劃產(chǎn)能2.5萬(wàn)片/月,兩期建設完成后,將形成8英寸SiC功率器件芯片年產(chǎn)72萬(wàn)片的生產(chǎn)能力。

為主導項目實(shí)施,士蘭微已于2024年3月6日在廈門(mén)市海滄區先行設立了項目公司廈門(mén)士蘭集宏半導體有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)士蘭集宏),士蘭集宏注冊資本為0.6億元,全部由士蘭微出資。

為推進(jìn)項目實(shí)施,士蘭微擬與廈門(mén)半導體投資集團有限公司、廈門(mén)新翼科技實(shí)業(yè)有限公司共同向子公司士蘭集宏增資41.5億元并簽署《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)項目之投資合作協(xié)議》。

士蘭集宏本次新增注冊資本41.5億元,由士蘭微與廈門(mén)半導體投資集團有限公司、廈門(mén)新翼科技實(shí)業(yè)有限公司以貨幣方式共同認繳,其中:士蘭微認繳10億元,廈門(mén)半導體投資集團有限公司認繳10億元,廈門(mén)新翼科技實(shí)業(yè)有限公司認繳21.50億元。本次增資完成后,士蘭集宏的注冊資本將由0.6億元增加至42.1億元。

士蘭微表示,如本次投資事項順利實(shí)施,將為士蘭集宏“8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)項目”的建設和運營(yíng)提供資金保障,有利于加快實(shí)現士蘭微SiC功率器件的產(chǎn)業(yè)化,完善其在車(chē)規級高端功率半導體領(lǐng)域的戰略布局,增強核心競爭力。

安建功率半導體模塊封裝項目簽約浙江海寧

5月20日,2024年二季度海寧經(jīng)濟開(kāi)發(fā)區、海昌街道項目集中簽約儀式在浙江海寧(中國)泛半導體產(chǎn)業(yè)園服務(wù)中心舉行,寧波安建半導體有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)安建半導體)功率半導體模塊封裝項目簽約落地海寧經(jīng)開(kāi)區,總投資1億元。

作為一家功率半導體元器件產(chǎn)品設計、研發(fā)及銷(xiāo)售公司,安建半導體現有低電壓的SGT MOSFET(分裂柵金屬氧化物場(chǎng)效應晶體管)、高電壓的SJ MOSFET(超結金屬氧化物場(chǎng)效應晶體管)、Field Stop Trench IGBT(絕緣柵雙極晶體管)三條成熟的產(chǎn)品線(xiàn)。其高電壓產(chǎn)品主要應用于高鐵、電動(dòng)汽車(chē)、新能源、工業(yè)控制等領(lǐng)域;低電壓產(chǎn)品主要應用于5G基站、電能轉換、綠色家電、消費電子等領(lǐng)域。

在第三代半導體領(lǐng)域,安建半導體目前已推出具有完全自主產(chǎn)權的1200V 17mΩ SiC MOSFET,正在同步建設SiC模塊封裝產(chǎn)線(xiàn)和開(kāi)發(fā)新一代GaN技術(shù)和產(chǎn)品。

在SiC業(yè)務(wù)方面,安建半導體在去年12月與積塔半導體就加速完成安建在積塔代工的平面型SiC MOSFET器件開(kāi)發(fā),并攜手邁進(jìn)新一代溝槽型SiC MOSFET器件開(kāi)發(fā)達成合作。

智新半導體800V SiC模塊產(chǎn)線(xiàn)預計7月批量投產(chǎn)

5月20日,據湖北日報消息,智新半導體第二條生產(chǎn)線(xiàn)兼容生產(chǎn)400V硅基IGBT模塊和800V SiC模塊,預計7月份批量投產(chǎn),10月份大批量投用。

據悉,為加速車(chē)規級功率半導體模塊國產(chǎn)替代,東風(fēng)公司在2019年6月與中國中車(chē)成立智新半導體,開(kāi)始自主研發(fā)生產(chǎn)車(chē)規級IGBT模塊。

2021年7月,智新半導體以先進(jìn)的第6代IGBT芯片技術(shù)為基礎的生產(chǎn)線(xiàn)啟動(dòng)量產(chǎn),華中地區首批自主生產(chǎn)的車(chē)規級IGBT模塊產(chǎn)品正式下線(xiàn)。一期產(chǎn)能30萬(wàn)只,主要生產(chǎn)400V硅基IGBT模塊。

而在今年4月,智新半導體第二條生產(chǎn)線(xiàn)啟用,規劃產(chǎn)能40萬(wàn)只,兼容生產(chǎn)400V硅基IGBT模塊和800V SiC模塊,產(chǎn)線(xiàn)國產(chǎn)化率達到70%。
智新半導體表示,其800V SiC模塊采用納米銀燒結工藝、銅鍵合技術(shù),可將能量轉化效率提高3%,與同樣性能的國外產(chǎn)品相比,該模塊成本降低了30%。(集邦化合物半導體Zac整理)

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