聚焦SiC襯底,半導體材料大廠(chǎng)達成2項重要合作

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 05 月 23 日 18:20 | 分類(lèi) 企業(yè)

近日,半導體材料大廠(chǎng)Soitec與兩家企業(yè)展開(kāi)SiC領(lǐng)域合作。

Tokai Carbon將為Soitec供應多晶6 & 8英寸SiC襯底

5月22日,Soitec宣布,公司與碳和石墨產(chǎn)品綜合制造商Tokai Carbon已建立戰略合作伙伴關(guān)系,共同開(kāi)發(fā)和供應專(zhuān)為 Soitec SmartSiC晶圓設計的多晶碳化硅(SiC)襯底。

source:SoitecSoitec指出,SiC是一種顛覆性的化合物半導體,SmartSiC工程襯底通過(guò)提供卓越的制造和成本效率以及改善的環(huán)境足跡,加速了碳化硅在電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)和智能電網(wǎng)應用中的采用。

通過(guò)此次合作,Tokai Carbon將向 Soitec 供應 150 mm(6英寸)和 200 mm(8英寸)多晶SiC晶圓,兩家公司將利用其先進(jìn)的研發(fā)能力來(lái)增強SmartSi生態(tài)系統。Tokai Carbon在多晶碳化硅(polySiC)方面的先進(jìn)技術(shù)和制造能力,以及 Soitec對符合 Soitec SmartSiC 的多晶碳化硅粗晶圓規格的使用權相結合,預計將為全球SmartSiC晶圓產(chǎn)量的提升做出戰略貢獻。

據悉,SmartSiC是基于該公司SmartCut工藝的專(zhuān)有Soitec技術(shù)。在該工藝中,高質(zhì)量單晶(mono-SiC)“供體”晶圓的薄層被分離并粘合到低電阻率多晶(poly-SiC)“柄”晶圓上,由此產(chǎn)生的襯底可提高器件性能和制造良率。該工藝允許對單個(gè)供體晶圓進(jìn)行多次重復使用,從而顯著(zhù)降低成本和相關(guān)的二氧化碳排放。

Soitec將為X-FAB提供SmartSiC晶圓

同日,Soitec還宣布已與SiC晶圓代工龍頭 X-FAB合作。Soitec將為X-FAB位于美國得克薩斯州拉伯克的工廠(chǎng)提供SmartSiC晶圓 ,用于生產(chǎn)SiC功率器件。

Soitec表示,此次合作是在成功完成評估階段之后進(jìn)行的,在評估階段,SiC功率器件在X-FAB德克薩斯州工廠(chǎng)的150mm(6英寸)? SmartSiC 晶圓上制造。Soitec將通過(guò)聯(lián)合供應鏈委托模式,為 X-FAB 的客戶(hù)提供獲得 SmartSiC襯底的便捷途徑。

在這個(gè)快速增長(cháng)的市場(chǎng)中,Soitec正在其位于格勒諾布爾(法國)附近的伯寧新工廠(chǎng)提高SmartSiC襯底的產(chǎn)量。X-FAB正在增加拉伯克工廠(chǎng)的SiC器件產(chǎn)能。SmartSiC襯底的使用能讓X-FAB的客戶(hù)能夠設計出更小的器件,從而通過(guò)增加每個(gè)晶圓的芯片數量來(lái)提高效率。

值得一提的是,Soitec日前公布了2024財年第四季度營(yíng)收及全年業(yè)績(jì)。2024年第四季度收入達到3.37億歐元,與創(chuàng )紀錄的23年第四季度相比,按固定匯率計算下降了2%。2024財年收入為9.78億歐元,按固定匯率和周長(cháng)以及報告基準計算均下降了10%,符合預期。2024財年凈利潤達到1.78億歐元,利潤率為18%。

針對SiC領(lǐng)域,Soitec表示,與前幾個(gè)季度相比, 公司用于未來(lái)幾代電動(dòng)汽車(chē)的 SmartSiC技術(shù)在24財年第四季度產(chǎn)生的收入貢獻進(jìn)一步增加,但同比略有下降,這是因為 Soitec 在 23 財年同季度公司收到了與意法半導體(STMicroelectronics)合作協(xié)議的首期付款。

Soitec表示,公司的SmartSiC路線(xiàn)圖在技術(shù)、工業(yè)、供應和商業(yè)等各個(gè)方面都進(jìn)展順利。今年2月,Soitec公司又獲得了第二家客戶(hù)。Soitec公司專(zhuān)門(mén)生產(chǎn)SmartSiC襯底的新工廠(chǎng)預計將于25財年下半年投產(chǎn)。(集邦化合物半導體Morty編譯)

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