超200億,長(cháng)飛先進(jìn)和晶能微電子SiC項目進(jìn)度刷新

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 06 月 19 日 18:00 | 分類(lèi) 企業(yè)

繼6月18日,總投資120億元的士蘭微8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)工后,又有兩個(gè)SiC相關(guān)項目披露了最新進(jìn)展。

長(cháng)飛先進(jìn)武漢基地正式封頂

6月19日,據長(cháng)飛先進(jìn)官微消息顯示,年產(chǎn)36萬(wàn)片SiC晶圓的長(cháng)飛先進(jìn)武漢基地日前正式完成主體結構封頂。

source:長(cháng)飛先進(jìn)

據悉,長(cháng)飛先進(jìn)武漢基地主要聚焦于第三代半導體功率器件研發(fā)與生產(chǎn),致力于打造一個(gè)集芯片設計、制造及先進(jìn)技術(shù)研發(fā)于一體的現代化半導體制造基地。項目總投資預計超過(guò)200億元,占地面積約22.94萬(wàn)㎡,建筑面積約30.15萬(wàn)㎡,主要建設內容包括晶圓制造廠(chǎng)房、封裝廠(chǎng)房、外延廠(chǎng)房、動(dòng)力廠(chǎng)房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套用房設施等。

接下來(lái),項目將進(jìn)入塔樓內部裝修及裙樓主體結構施工階段,預計明年7月量產(chǎn)通線(xiàn)。項目投產(chǎn)后可年產(chǎn)36萬(wàn)片SiC晶圓及外延、6100萬(wàn)個(gè)功率器件模塊,廣泛應用于新能源汽車(chē)、光儲充等領(lǐng)域。

長(cháng)飛先進(jìn)專(zhuān)注于SiC功率半導體產(chǎn)品研發(fā)及制造,具備從外延生長(cháng)、器件設計、晶圓制造到模塊封測的全流程生產(chǎn)能力和技術(shù)研發(fā)能力。

目前,長(cháng)飛先進(jìn)產(chǎn)品覆蓋650V-3300V全電壓平臺的SiC MOSFET和SBD,應用于車(chē)載主驅、車(chē)載OBC、光伏逆變器、充電樁逆變器、工業(yè)電源等全場(chǎng)景。長(cháng)飛先進(jìn)目前晶圓代工產(chǎn)品超過(guò)50款,自營(yíng)產(chǎn)品超過(guò)20款,其中1200V 15mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始導入市場(chǎng),面向車(chē)載主驅逆變器應用場(chǎng)景。

晶能微電子車(chē)規級半導體封測基地二期項目將于2026年投產(chǎn)

6月17日,據溫嶺發(fā)布官微消息顯示,晶能微電子車(chē)規級半導體封測基地二期項目用地近日成功出讓。項目總用地面積達14755平方米,由溫嶺新城開(kāi)發(fā)區下屬?lài)衅髽I(yè)負責廠(chǎng)房建設。

據悉,去年5月,晶能微電子與溫嶺新城開(kāi)發(fā)區成功簽約車(chē)規級半導體封測基地項目,項目共分兩期實(shí)施建設。其中,一期擴建項目于2023年12月28日開(kāi)工,主要建設一條車(chē)規級Si/SiC器件先進(jìn)封裝產(chǎn)線(xiàn),目前已進(jìn)入設備進(jìn)場(chǎng)及調試階段,將于本月正式投產(chǎn)。投產(chǎn)后,預計每年可生產(chǎn)超3.96億顆單管產(chǎn)品。

二期項目主要用于開(kāi)展MEMS、IC等產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售,同時(shí)將一期產(chǎn)線(xiàn)整體遷入新建廠(chǎng)房。項目計劃于今年三季度開(kāi)工建設,并于2026年投產(chǎn)。

晶能微電子是吉利孵化的功率半導體公司,聚焦于新能源領(lǐng)域的芯片設計與模塊創(chuàng )新,為新能源汽車(chē)、電動(dòng)摩托車(chē)、光伏、儲能、新能源船舶等客戶(hù)提供功率產(chǎn)品和服務(wù)。

近年來(lái),晶能微電子持續強化功率半導體封測業(yè)務(wù)布局。去年8月,據晶能微電子官微消息,其擬與錢(qián)江摩托簽署協(xié)議,投資1.23億元收購后者持有的益中封裝100%股權。益中封裝主要做單管先進(jìn)封裝,年產(chǎn)能3.6億只。收購完成后,晶能微電子產(chǎn)品版圖實(shí)現對殼封模塊、塑封模塊和單管產(chǎn)品的全覆蓋。(集邦化合物半導體Zac整理)

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