最新文章

SiC、GaN廠商沖刺IPO,誰將率先上岸?

作者 |發布日期 2024 年 05 月 14 日 13:56 | 分類 產業
IPO是企業獲得融資、提升品牌知名度的重要手段之一,在尚未正式登陸資本市場之前,企業IPO相關進展,都有可能收割一波流量,成為業界關注的焦點,進而擴大企業在市場中的影響力。 對于當前十分火熱的SiC產業而言,除了大手筆擴產、大規模融資、重量級合作等動作外,廠商IPO也能夠一石激起...  [詳內文]

聚焦碳化硅,羅姆與東芝聯手深化功率半導體業務合作

作者 |發布日期 2024 年 05 月 13 日 18:28 | 分類 企業
據外媒報道,在羅姆近日召開的財務業績發布會上,公司總裁Isao Matsumoto(松本功)宣布,將于今年6月開始與東芝在半導體業務方面進行業務談判,預計談判將持續一年左右。兩家公司旨在加強旗下半導體業務全方面合作,涵蓋技術開發、生產、銷售、采購和物流等領域。 松本功表示:“東芝...  [詳內文]

揚杰科技、新潔能取得SiC、GaN相關專利

作者 |發布日期 2024 年 05 月 13 日 18:00 | 分類 企業
近日,揚杰科技和新潔能2家第三代半導體相關廠商分別取得SiC、GaN相關專利。 圖片來源:拍信網正版圖庫 揚杰科技取得GaN MOSFET專利 天眼查資料顯示,5月10日,揚杰科技取得一項“一種氮化鎵MOSFET封裝應力檢測結構”專利,授權公告號CN110749389B,申請日...  [詳內文]

國內最大碳化硅器件基地首棟建筑提前封頂

作者 |發布日期 2024 年 05 月 13 日 14:43 | 分類 企業
據報道,長飛先進武漢基地項目首棟宿舍樓日前提前封頂,這標志著該項目進入投產倒計時,預計于今年6月全面封頂,明年7月投產。 source:中國光谷 長飛先進武漢基地項目位于武漢新城中心片區,由長飛先進半導體(武漢)有限公司出資建設,總投資預計超過200億元。 該項目主要聚焦于第三...  [詳內文]

銦杰半導體宣布磷化銦材料漲價15%

作者 |發布日期 2024 年 05 月 11 日 18:10 | 分類 光電
昨日(5/10),陜西磷化銦材料廠商銦杰半導體公布調價通知,其磷化銦多晶產品將自5月31日起漲價15%。 對于此次調價的原因,銦杰半導體指出,原材料高純銦價格自2024年1月開始持續上漲,漲幅超40%,同時,其余材料成本也都有所上升,在此背景下,公司決定調整產品價格。 據了解,...  [詳內文]

搭載1200V SiC電控,比亞迪發布海獅07EV

作者 |發布日期 2024 年 05 月 11 日 18:00 | 分類 企業
5月10日,比亞迪發布全新一代e平臺3.0 Evo及首搭車型海獅07EV。據悉,海獅07EV搭載的高效十二合一智能電驅系統,全系搭載1200V SiC電控,采用23000rpm轉速電機,其極速可達225km/h以上。 圖片來源:拍信網正版圖庫 在SiC模塊方面,e平臺3.0 E...  [詳內文]

10億,源芯微SiC芯片項目簽約落地浙江湖州

作者 |發布日期 2024 年 05 月 11 日 18:00 | 分類 企業
5月9日,“南太湖發布”官微披露,浙江湖州南太湖新區管理委員會和安徽源芯微電子有限責任公司(以下簡稱源芯微電子)舉行源芯微電子年產20億只車規級芯片智造項目簽約儀式。 source:南太湖發布 據悉,此次簽約落地的年產20億只車規級芯片智造基地和SiC車規級芯片研究院項目總投資...  [詳內文]

納微半導體公布2024年Q1業績

作者 |發布日期 2024 年 05 月 11 日 10:45 | 分類 企業
5月9日,納微半導體發布2024年Q1財報。報告期內,納微半導體總收入增長至2320萬美元(折合人民幣約1.68億元),同比增長73%。 2024年第一季度的GAAP營業虧損為3160萬美元(折合人民幣約2.28億元),與2023年同期的3550萬美元(折合人民幣約2.56億元)...  [詳內文]

4億!新松半導體將引入戰略投資

作者 |發布日期 2024 年 05 月 10 日 18:18 | 分類 產業
5月9日,沈陽新松機器人自動化股份有限公司(以下簡稱:新松機器人)發布公告稱,公司全資子公司沈陽新松半導體設備有限公司(以下簡稱:新松半導體)以公開掛牌方式引入戰略投資者實施增資擴股,多家戰略投資者通過參與本次公開掛牌對新松半導體進行增資,合計出資40,000萬元,取得新松半導體...  [詳內文]

供貨天岳先進,連科半導體發布8英寸SiC長晶爐

作者 |發布日期 2024 年 05 月 10 日 18:00 | 分類 企業
5月10日,連城數控官微消息顯示,第二屆第三代半導體晶體生長技術與市場研討會5月9日在江蘇無錫舉行。會上,連科半導體發布新一代8英寸SiC長晶爐,正式實現了大尺寸SiC襯底設備的全面供應。該設備具有結構設計緊湊、長晶工藝靈活、節約環保的特點。 source:連城數控 會上,連科...  [詳內文]