文章分類: 功率

陜西發布培育千億級第三代半導體產業創新集群行動計劃

作者 | 發布日期: 2024 年 05 月 21 日 17:56 | | 分類: 功率
近日,據省發展改革委消息:《陜西省培育千億級第三代半導體產業創新集群行動計劃》已于日前印發。按照計劃,陜西將重點開展第三代半導體材料工藝技術與核心產品攻關,打通晶體材料高效生長、器件設計制造等產業發展關鍵節點,構建第三代半導體產業鏈、創新鏈、服務鏈協同發展新模式,打造國內領先的千...  [詳內文]

聚焦第三代半導體項目,保定引導基金完成備案

作者 | 發布日期: 2024 年 05 月 15 日 17:50 |
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近日,保定高新區產業投資引導基金有限公司(簡稱“引導基金”)在中國證券投資基金業協會完成備案,基金總認繳規模20億元人民幣。魯信創投全資子公司山東省高新技術創業投資有限公司作為引導基金管理人,全面負責基金運營等管理工作。 據介紹,引導基金主要圍繞保定市”3+N...  [詳內文]

超1300億!2024年數十個SiC項目有新進展

作者 | 發布日期: 2024 年 05 月 09 日 18:10 |
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2024年以來,SiC產業延續了2023年的火熱態勢,企業圍繞技術研發、簽單合作、投融資、IPO、產能建設等方面忙得不亦樂乎,各大廠商頻頻有利好消息傳出。 在投資擴產大旗下,2024年以來已有超30個項目披露了新進展,或簽約、或開工、或封頂、或投產,各個項目都在積極推進當中,不斷...  [詳內文]

碳化硅技術領域2個新進展

作者 | 發布日期: 2024 年 04 月 29 日 14:42 |
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近日,就碳化硅單晶制備和碳化硅切割技術方面,有新進展。 浙大聯合實驗室制備出厚度達100 mm碳化硅單晶 4月26日,浙大杭州科創中心官微發文稱,浙江大學杭州國際科創中心(簡稱科創中心)先進半導體研究院-乾晶半導體聯合實驗室(簡稱聯合實驗室)首次生長出厚度達100 mm的超厚碳化...  [詳內文]

14.5億,13萬片,國產8英寸碳化硅襯底廠商斬獲大單

作者 | 發布日期: 2024 年 04 月 22 日 16:12 |
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近日,世紀金芯與日本某客戶簽訂SiC襯底訂單。按照協議約定,世紀金芯將于2024年、2025年、2026年連續三年向該客戶交付8英寸SiC襯底共13萬片,訂單價值約2億美元(折合人民幣約14.5億元)。 資料顯示,世紀金芯成立于2019年12月,致力于第三代半導體SiC功能材料研...  [詳內文]

江蘇GaN外延制造中心動工

作者 | 發布日期: 2024 年 04 月 19 日 17:59 |
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張家港經開區官微消息,4月18日上午,能華半導體張家港制造中心(二期)項目在張家港經開區再制造基地正式開工建設。 公開資料顯示,能華半導體采用IDM全產業鏈模式,致力于硅基GaN(GaN-on-Si),藍寶石基GaN(GaN-on-Sapphire), 碳化硅基GaN(GaN-o...  [詳內文]

推進碳化硅研發,院企開展合作

作者 | 發布日期: 2024 年 04 月 18 日 17:56 |
| 分類: 功率
4月17日,賓夕法尼亞州立大學宣布,學校已和摩根先進材料公司(下文簡稱“摩根公司”)簽署了一份諒解備忘錄(MOU),以促進碳化硅(SiC)的研發。 source:賓夕法尼亞大學 該協議包括一項為期五年、耗資數百萬美元的新計劃。摩根公司承諾成為賓夕法尼亞州立大學最近發起的碳化硅創...  [詳內文]

國內碳化硅外延片市場簡析

作者 | 發布日期: 2024 年 04 月 15 日 9:24 |
| 分類: 功率
隨著電動汽車和新能源需求的持續擴大,碳化硅功率半導體元件在各領域的滲透率呈現持續攀升之勢。對于碳化硅外延片環節,過去市場長期由Resonac、Wolfspeed等國際大廠主導,中國廠商瀚天天成與天域半導體歷經10余年積累,終隨新能源浪潮迎來業務高速增長期,近年來全球市場份額得以迅...  [詳內文]

鎵仁半導體推出2英寸晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底

作者 | 發布日期: 2024 年 04 月 10 日 13:51 | | 分類: 功率
4月9日,杭州鎵仁半導體有限公司(下文簡稱“鎵仁半導體”)宣布正式推出2英寸晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底,在(010)襯底的研發生產方面再創新高。 source:鎵仁半導體 據介紹,氧化鎵(β-Ga2O3) 具有禁帶寬度大、擊穿場強高、巴利加優值大等優點,使基于氧化鎵的功率器...  [詳內文]

韓國電子通信研究院將啟動GaN晶圓代工服務

作者 | 發布日期: 2024 年 04 月 09 日 10:39 |
| 分類: 功率
據韓媒報道,近日,韓國電子通信研究院(ETRI)宣布將啟動150nm氮化鎵(GaN)半導體本土代工試點服務。 source:拍信網 4月4日,ETRI公布了根據科學與信息通信技術部”電信用化合物半導體研究代工廠”項目開發的150nm GaN微波集成電路(...  [詳內文]