英飛凌、羅姆產品新進展

作者 | 發布日期 2024 年 03 月 07 日 10:28 | 分類 功率

近日,英飛凌和羅姆兩大SiC龍頭在產品端公布了新進展。

英飛凌推出Cool SiC MOSFET G2

3月5日,英飛凌宣布,公司推出了下一代碳化硅 (SiC) MOSFET溝槽技術產品,CoolSiC MOSFET G2系列產品。

source:英飛凌

英飛凌表示,新一代CoolSiC MOSFET 650V和1200V產品與上一代相比,MOSFET的關鍵性能指標(例如存儲能量和電荷)提高了20%,同時又不影響質量和可靠性水平。

CoolSiC MOSFET G2技術繼續利用SiC的性能優勢,實現更低的能量損耗,從而在功率轉換過程中提高效率,這對于光伏、儲能、直流電動汽車充電、電機驅動和工業電源等各種功率半導體應用客戶來說,將提供很大的優勢。

與前幾代產品相比,配備 CoolSiC G2的電動汽車直流快速充電站最多可減少10%的功率損耗,同時在不影響外形尺寸的情況下實現更高的充電容量?;贑oolSiC G2設備的牽引逆變器可進一步增加電動汽車的續航里程。在可再生能源領域,采用CoolSiC G2設計的太陽能逆變器可以在保持高功率輸出的同時實現更小的尺寸,從而降低每瓦成本。

“大趨勢需要新的、高效的方式來產生、傳輸和利用能源。憑借CoolSiC MOSFET G2,英飛凌將SiC性能提升到了一個新的水平?!庇w凌綠色工業電力部門總裁Peter Wawer博士說道,“新一代SiC技術能夠加速設計成本更加優化、緊湊、可靠且高效的系統,從而節省能源并減少現場安裝的每瓦特的CO2排放量?!?/p>

羅姆GaN器件被臺達電子采用

羅姆今(6)日宣布,旗下650V GaN器件(EcoGaN)被臺達電子Innergie品牌的45W輸出AC適配器(快速充電器)“C4 Duo”采用。

source:羅姆

據介紹,臺達是基于IoT技術的綠色解決方案全球供應商。

羅姆指出,Innergie的AC適配器通過搭載可提高電源系統效率的羅姆EcoGaN“GNP1150TCA-Z”,提高了產品性能和可靠性的同時也實現了小型化。

羅姆表示,GaN的潛力很大,但處理起來卻很難,目前羅姆正在推進注重“易用性”的產品開發并提供相關解決方案。在分立產品方面,羅姆已于2022年開始量產150V耐壓的GaN HEMT,并于2023年開始量產實現業界超高性能(RDS(ON)×Ciss / RDS(ON)×Coss)的650V耐壓GaN HEMT。

集邦化合物半導體Morty整理

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